近日，williamhill威廉希尔官网大功率半导体器件可靠性研究实验室成功举办第四届电力电子器件可靠性国际研讨会。国重大功率半导体器件可靠性研究团队与德国开姆尼茨工业大学Lutz教授一行进行学术交流与深入研讨。
研讨会上，Lutz教授首先介绍了开姆尼茨工业大学实验室现状及相关研究进展。随后，研究团队成员作了学术报告。报告内容紧密结合前沿研究方向，在器件封装类型方面，包括分立器件，电动汽车单面直接液冷IGBT模块，电动汽车双面散热IGBT模块，高铁用大功率IGBT模块，压接型IGBT等，器件类型丰富；在测试技术方面，包括高温-高湿-高压-大电流耦合作用下器件可靠性测试技术，AC功率循环过程中器件老化的在线评估，级联GaN器件的功率循环可靠性测试，双面散热IGBT模块测试技术，以及器件失效分析等，研究内容深入，且均来源于厂商的实际应用。值得一提的是，相比前三届会议，今年在研讨形式上做了相应调整，以请Lutz教授讲为主，改为请Lutz教授听为主，为此研究团队在约两周的时间内准备了10个高质量学术报告。德国英飞凌科技公司Weinan Chen博士、Zheng Zhi博士也分别作报告，并与团队成员共同探讨了半导体工艺模拟以及器件模拟软件TCAD的相关问题。Lutz教授一行还对团队成员提出的问题进行了耐心细致解答。对每一个问题，Lutz教授都查阅资料、用物理背景、实验图像和实验数据进行回答，有的还采用了刚刚结束的PCIM 2023上的最新报告内容，给团队研究生们留下了深刻印象。
研讨会前，Lutz教授一行参观了大功率半导体器件可靠性研究实验室。在参观交流过程中，Lutz教授对团队研究工作给予充分肯定，认为团队已经具有一定国际认可度，相关研究产生了新数据，有细节、有深度，一定能够更好地满足厂商的分析和测试需求。Lutz教授还对下一届研讨会的形式和内容创新提出了建议，并特别把实验室功率循环产品设备拍照准备与开姆尼茨工业大学人员分享。Lutz教授一行还前往长城汽车公司、华电（烟台）功率半导体研究院参访。
自2017年起，电力电子器件可靠性国际研讨会已连续举办三届，吸引了来自高校、企业的近百名专家学者积极参与。近年来，在学校和学院的大力支持下，大功率半导体器件可靠性研究实验室硬件条件得到提升，开发了多台新型实验装置，国内外合作厂商大幅增加。下一阶段，实验室会重点针对柔性直流输电、电动汽车、高铁、新能源并网等应用的大功率器件需求，进行装备开发测试和器件可靠性、坚固性、失效分析、寿命模型等研究，为实现我国电力电子器件领域高水平科技自立自强提供有力支撑。
初审：陈艺、孙智
复审：黄永章
审核：王栋梁
